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“低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用”荣获国家技术发明奖二等奖

2018年1月8日,中共中央、国务院在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、张高丽、王沪宁出席大会并为获奖代表颁奖。李克强代表党中央、国务院在大会上讲话。张高丽主持大会。半导体研究所共获得奖励4项,分别为是国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖二等奖2项、国家科技进步奖二等奖1项。

郑婉华研究员课题组 “低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用” 项目荣获2017年国家技术发明奖二等奖。项目主要完成人:郑婉华、渠红伟、王宇飞、马长勤、王海玲、刘安金。该项目通过在现有半导体激光器外延材料和器件结构中引入光子晶体结构,攻克了半导体光子晶体激光器的理论模拟方法、结构设计、外延材料生长、工艺制备和封装测试等一系列自主关键技术,实现了电子能带与光子模场的联合调控,在保持激光率输出的同时,输出光束的方向和模式得到极大改善,可不经整形直接使用,使光学系统大为简化。项目发表SCI论文80篇、软件著作权3项。