GaN器件与集成应用组

GaN器件与集成应用组研究方向

研究方向为氮化物等第三代半导体材料及器件物理领域。在张韵研究员的引领下,已经形成了一支具有创新能力和科研能力的人才队伍。课题组承担并完成了多个科技部、基金委、北京市科委等重点项目,在氮化物及相关材料体系的光电子和微电子器件领域取得了一系列成果,在AlGaN/GaN基功率、射频高电子迁移率场效应管(HEMT)、InGaN/GaN基射频异质结双极晶体管(HBT)、DUV LED及LD、以及第三代半导体激光器照明及通信等方面开拓了新的技术路线,部分指标达到国内外领先水平。